經電化學處理之鈦金屬表面奈米多孔性氧化層之研究

本研究以電化學陰極處理方式使鈦必金屬表層形成一層氫化鈦(TiH2)薄膜，再以電化學陽極處理，使表面形成一層奈米網狀多孔性的二氣化鈦(TiH2)結構，並以物理化學性的分析儀器測試表面之成分、元素、膜厚、孔洞大小及結構，並探討奈米網狀多孔性的氧二化鈦的形成機制。根據本研究結果顯示，以陰極後陽極氧化處理的方式所產生三維奈米網狀多孔性結構之二氧化鈦，特性優於傳統陽極處理製程所產生的氧化層。於固定電壓下其氣化層厚度較單純陽極處理更厚且表層會形成奈米級孔洞。形成此種三維奈米網狀多孔性結構的主要原因，是因於陰極處理時奈米氫化鈦的生成，而奈米氫化鈦於陽極氣化時氫化鈦產生溶解反應而致使此多孔性氧化膜的生成。