以銅置換與奈米針尖技術開發高密度奈米尺寸之電阻式非揮發性記憶體陣列(I)

在眾多下一世代非揮發性記憶體中，電阻式記憶體(ReRAM)因具備了許多優勢而脫穎而出，例 如：尺寸隨曝光技術而持續微縮、結構簡易，且與CMOS製程高度相容等。本計劃以開發“銅化學置 換模組＂與“氧化矽奈米金字塔結構＂應用於製備“高密度高效能非揮發性奈米尺度之電阻式記憶 體陣列＂為最終之目標，開發符合市場需求之優勢記憶體陣列。本計劃將分三年執行： 第一年： “銅化學置換模組＂方面，針對銅置換製程建立置換率之參數，並探討銅置換氧化矽ReRAM，同 時在本研究群已開發之矽奈米針尖結構的基礎下，建立銅置換與n+矽奈米針尖界面之整流特性之探 討，接著進一步將具有整流特性之銅置換矽奈米針尖結構與ReRAM整合成1 Diode－1 ReRAM （1D-1R）並探討其記憶體特性。而在“氧化矽奈米針尖結構模組＂方面，則致力於開發具有氮化矽 包覆之小面積氧化矽奈米針尖結構。 第二年： 進一步將銅置換二氧化矽ReRAM與具整流特性之銅置換矽奈米金字塔結構整合形成1D-1R，並探 討整合之可行性與元件特性分析。同時亦針對銅置換二氧化矽奈米金字塔結構做小面積ReRAM之開 發。 第三年： 延續前二年的成果，將“具整流特性之銅置換矽奈米金字塔結構＂與“銅置換氧化矽奈米金字塔 結構之小面積ReRAM＂整合於記憶陣列中，在不受限於曝光技術下，完成更高密度元件的開發。